研究方向
1. 新型低维材料的基础研究(包括二维原子晶体,一维纳米线和零维量子点的基本物理性质)。
2. 多种二维半导体材料的晶圆级可控生长及生长动力学研究
3. 晶圆级二维半导体(主要为MoS2, WS2, MoTe2等TMD材料)的分立器件工艺和验证性集成电路工艺。
4. 二维半导体器件建模、电路仿真设计。
5. 基于晶圆级二维半导体材料的IC,包括逻辑,存储和射频等电路。
6. 基于晶圆级二维半导体材料的室温红外探测器研究。
7. 二维材料的柔性电子学研究以及在生物医药,可穿戴设备中的应用。
MoS2器件-从生长到器件制备及电学测试 | 新型器件结构-高栅控能力的TFET |
柔性器件应用 | 全二维材料集成电路 |
部分成果展示区
晶圆级连续二维半导体材料的可控生长 | 晶圆级二维半导体材料的SEM表征图 | 基于晶圆级二维半导体材料的晶体管阵列 |
基于晶圆级二维半导体材料的晶体管阵列 | 全二维半导体材料高增益反相器 | 基于转移工艺的TFET新型器件结构 |
大规模顶栅晶体管阵列 | 反相器阵列 | 加法器阵列 |