18. 一种高电学性能三维互补场效应晶体管及其制备方法
申请号：CN202410058577.1 申请日：2024-01-15
发明(设计)人：包文中，马静怡，张哲嘉，万景，周鹏
16. 一种用于黑体校准的红外测试装置
申请号：CN202322267431.1 申请日：2023-08-23
发明(设计)人：包文中，王馨雨，王蝶
15. 一种基于二维材料的垂直结构光伏型探测器及其制备方法
申请号：CN202310903686.4 申请日：2023-07-23
发明(设计)人：包文中，王馨雨，王蝶
一种基于二维材料的垂直结构光伏型探测器及其制备方法-专利-万方数据知识服务平台
14. 一种基于二维半导体材料的光电二极管及其制备方法
申请号：CN202310907092.0 申请日：2023-07-23
发明(设计)人：包文中，王蝶，王馨雨
一种基于二维半导体材料的光电二极管及其制备方法-专利-万方数据知识服务平台
13. 基于异质集成的叠层2T1C-DRAM存储器件及其制备方法
申请号：CN202310564445.1 申请日：2023-05-18
发明(设计)人：万景，谢辉，肖凯，周鹏，包文中
基于异质集成的叠层2T1C-DRAM存储器件及其制备方法-专利-万方数据知识服务平台
12. 基于共源共栅电路的高增益异质放大器及其制备方法
申请号：CN202310564444.7 申请日：2023-05-18
发明(设计)人：万景，田甜，周鹏，包文中
基于共源共栅电路的高增益异质放大器及其制备方法-专利-万方数据知识服务平台
11. 双晶体管无电容结构动态存储器件及其制备方法
申请号：CN202310564446.6 申请日：2023-05-18
发明(设计)人：万景，肖凯，谢辉，周鹏，包文中
双晶体管无电容结构动态存储器件及其制备方法-专利-万方数据知识服务平台
10. 基于场效应正反馈晶体管的光电脉冲神经元及其制备方法
申请号：CN202310564453.6 申请日：2023-05-18
发明(设计)人：万景，陈颖欣，周鹏，包文中
基于场效应正反馈晶体管的光电脉冲神经元及其制备方法-专利-万方数据知识服务平台
9 . 基于绝缘衬底上硅-二维材料异质集成光电探测器及其制备方法
申请号：CN202310568101.8 申请日：2023-05-18
发明(设计)人：万景，张伟，周鹏，包文中
基于绝缘衬底上硅-二维材料异质集成光电探测器及其制备方法-专利-万方数据知识服务平台
8 . 基于二维材料的边缘接触晶体管及制备方法
申请号：CN202211659843.3 申请日：2022-12-22
发明(设计)人：包文中，盛楚明，朱宇轩，董祥麒，周鹏
基于二维材料的边缘接触晶体管及制备方法-专利-万方数据知识服务平台
7 . 基于等离子体处理的低维半导体材料晶体管的制备方法
申请号：CN202211575582.7 申请日：2022-12-08
发明(设计)人：包文中，盛楚明，孙正宗，童领
基于等离子体处理的低维半导体材料晶体管的制备方法-专利-万方数据知识服务平台
6 . 基于等离子体掺杂调控低维半导体材料电学性能的方法
申请号：CN202211582913.X 申请日：2022-12-08
发明(设计)人：包文中，盛楚明，孙正宗，董祥麒，朱宇轩
基于等离子体掺杂调控低维半导体材料电学性能的方法-专利-万方数据知识服务平台
5 . 一种与二维光导型探测器适配的CTIA型读出电路
申请号：CN202211269333.5 申请日：2022-10-17
发明(设计)人：包文中，王馨雨，陈洪雷，刘康
一种与二维光导型探测器适配的CTIA型读出电路-专利-万方数据知识服务平台
4. 一种二维材料的刻蚀方法
申请号：CN202211139725.X 申请日：2022-09-19
发明(设计)人：包文中，朱宇轩，夏银，邵仁锦，浦东林
3. 一种基于PCB板的光电测试装置
申请号：CN202221108818.1 申请日：2022-05-11
发明(设计)人：包文中，王馨雨，陈洪雷
2. 一种基于二维材料的自对准顶栅场效应晶体管的制备方法
申请号：CN202210493870.1 申请日：2022-04-28
发明(设计)人：包文中，朱宇轩，夏银，缑赛飞，张卫
一种基于二维材料的自对准顶栅场效应晶体管的制备方法-专利-万方数据知识服务平台
1. 一种三维互补场效应晶体管及其制备方法
申请号：CN202210346826.8 申请日：2022-03-31
发明(设计)人：万景，周鹏，包文中，童领，肖凯