近日，夏银同学以第一作者身份在Advanced Materials Technologies杂志上发表了一篇题为《Tuning Electrical and Optical Properties of MoSe2 Transistors via Elemental Doping》的文章。
过渡金属硫族化合物（TMDC）层材料的受控掺杂对于实际的器件应用非常重要。但由于其共价键难以被破坏，所以TMDC的掺杂和带隙性能的调整仍然具有挑战性。对MoSe2进行元素掺杂，可以调控它的导电类型，还可以拓宽它的光响应波长，此外掺钒MoSe2的光响应波长可以达10微米，该结果表明，元素掺杂方法可以丰富MoSe2的电学和光学应用前景。