近日，2D Lab博士生廖付友同学和郭晓娇同学以第一作者的身份在Journal of Semiconductors杂志上发表了一篇题为《Charge transport and quantum confinement in MoS2 dual-gated transistors》的文章。
半导体二维（2D）材料由于其丰富的能带结构和在下一代电子设备中的潜力而备受关注。这项工作主要研究了具有双栅极（DG）架构的MoS2场效应晶体管（FET），该架构由对称厚度的背栅（BG）和顶栅（TG）电介质组成。DG-MoS2器件中依赖于厚度的电荷传输通过四端子电气测量揭示出来，该测量排除了接触影响，此外，用TCAD仿真解释了实验数据。结果表明，量子限制效应的影响在MoS2通道中的电荷传输中起着重要作用，因为它将电荷载流子限制在通道中心，与单选通情况相比，它减少了散射并提高了迁移率。此外，随温度变化的传输曲线表明，多层MoS2 DG-FET处于声子受限输运状态，而单层MoS2显示出典型的库仑杂质受限状态。