祝贺许浒和张海马在Small上发表论文《High-Performance Wafer-Scale MoS2 Transistors toward Practical Application》

发布者:郭晓娇发布时间:2019-07-04浏览次数:516

近日,2D Lab的硕士生许浒同学和张海马同学以第一作者的身份在Small杂志上发表了一篇题为《High-Performance Wafer-Scale MoS2 Transistors toward Practical Application》的文章。

原子层薄的过渡金属硫化物(TMD)被认为是新一代半导体器件的一个契机。然而到目前为止,大多数器件仍然基于微米尺度上机械剥离的过渡金属硫化物薄膜。该文章则提出了一种新的化学气相沉积合成方法,通过引入多层(ML)MoS2岛来提高器件性能。文章中采用四探针法提取接触电阻,发现相比于其他工作有下降一个数量级,这是由于在ML-MoS2岛额外的暴露边缘处形成了保形接触。为了探索数百个MOS2场效应晶体管的开启电压(VT)和场效应迁移率(μfe)等关键指标,该工作基于在2in上合成的连续MoS2薄膜制备了顶栅场效应晶体管(FET)阵列,其统计结果显示这些参数的波动性非常小。这些MOSFET中提取的场效应迁移率μfe约70 cm2 v−1 s−1,亚阈值摆幅约150 mV dec−1,这与机械剥离获得的最佳性能的顶栅MoS2 FET相当。本文的得到的结果是将二维TMDS扩展为功能系统的关键一步,为未来二维TMDS集成电路的发展铺平了道路。