15. 一种性能可控的二维半导体晶体管结构及其制备方法
申请号：202011555330.9 申请日：2020-12-25
发明(设计)人：包文中，马静怡，郭晓娇，童领，陈新宇，缑赛飞，周鹏，张卫
14. 基于自对准结构的叠层沟道纳米片晶体管及其制备方法
申请号：202011316239.1 申请日：2020-11-22
发明(设计)人：万景，包文中，邓嘉男，宗凌逸，刘坚
13. 一种二维半导体材料的金属接触结构及其制备方法
申请号：202011282535.4 申请日：2020-11-16
发明(设计)人： 童领，包文中，马静怡，郭晓娇，陈新宇，夏银，周鹏，张卫
12. 一种二维半导体材料的金属接触结构
申请号：202022650559.2 申请日：2020-11-16
发明(设计)人：童领，包文中，马静怡，郭晓娇，陈新宇，夏银，周鹏，张卫
11. 基于二维材料的生物化学传感模块的制备方法
申请号：202010083085.X 申请日：2020-02-07
发明(设计)人：陆叶，包文中
10. 一种基于二维半导体薄膜的多层堆叠电路及其制备方法
申请号：2020101547.7 申请日：2020-03-08
发明(设计)人：陆叶，包文中，郭晓娇
9. 一种基于二维材料的NS叠层晶体管及其制备方法
申请号：202010154718.1 申请日：2020-03-08
发明(设计)人：包文中，宗凌逸，万景，邓嘉男，郭晓娇，张卫
8. 基于二维过渡金属硫族化合物和碲的三维CMOS及其制备方法
申请号：202010083084.5 申请日：2020-02-07
发明(设计)人：包文中，郭晓娇，马顺利，陆叶，张卫
7. 一种基于全硅基掩膜版的薄膜器件的制备方法
申请号：201911084206.6 申请日：2019-11-07
发明(设计)人：包文中，郭晓娇，张海马，周鹏，张卫
6. 一种湿法刻蚀单面基板的装置
申请号：201911084206.6 申请日：2019-11-07
发明(设计)人：包文中，郭晓娇，胡荣民，周鹏，张卫
5. 一种高精密硅基通孔掩膜版分体图形结构
申请号：201811047914.8 申请日：2018-09-10
发明(设计)人：包文中，郭晓娇，周鹏，张卫
4. 一种辅助硬通孔掩膜版和样品进行精确对准的装置
申请号：201811047890.6 申请日：2018-09-10
发明(设计)人：包文中，昝武，郭晓娇，胡荣民，周鹏
3.一种在真空环境下转移大面积二维材料的转移平台
申请号：201820102682.0 申请日：2018-01-22
发明(设计)人：包文中，张思梦，昝武，周鹏，张卫
2.制备具有顶栅结构和聚合物电解质介质层的二维半导体晶体管的方法
申请号：201810014816.8 申请日：2018-01-08
发明(设计)人：包文中，昝武，许浒，张卫
1.形成金属-二维过渡族金属化合物材料良好欧姆接触的方法
申请号：201810010472.3 申请日：2018-01-05
发明(设计)人：包文中，宋雄飞，昝武，许浒，周鹏，张卫